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Mohamed Elattar

High-Power GaAs-Based Diode Lasers with Novel Lateral Designs for Enhanced Brightness, Threshold and Efficiency

Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik 77

GaAs-based 9xx-nm broad-area diode lasers (BALs) offer the highest optical power (Popt) among diode lasers and the highest conversion efficiency ( E) among all light sources. Therefore, they are widely us…

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